Flash-minne är en form av semi-pass-teknik och elektriskt omprogrammerbart minne. Samma koncept kan användas i elektroniska kretsar för att beteckna tekniskt kompletta lösningar. I vardagen är detta koncept fixat för en bred klass av solid state-enheter för lagring av information.
Nödvändig
USB-minne, dator med internetanslutning
Instruktioner
Steg 1
Principen för drift av denna teknik baseras på förändringar och registreringar i isolerade områden av elektrisk laddning i en halvledarstruktur. Ändringen av en sådan laddning, det vill säga dess inspelning och radering, sker med hjälp av en applikation som ligger mellan källan och grinden för dess större potential. Således skapas en tillräcklig elektrisk fältstyrka mellan transistorn och fickan i ett tunt dielektriskt fält. Så här uppstår tunneleffekten.
Steg 2
Minnesresurser baseras på laddningsändring. Det är ibland associerat med den kumulativa effekten av irreversibla fenomen i dess struktur. Därför är antalet poster begränsat för flashcellen. Denna siffra för MLC är vanligtvis 10 tusen enheter och för SLC - upp till 100 tusen enheter.
Steg 3
Datalagringstid bestäms av hur länge avgifterna lagras, vilket vanligtvis anges av de flesta tillverkare av hushållsprodukter. Det överstiger inte tio till tjugo år. Även om tillverkarna bara ger garanti för de första fem åren. Det bör dock noteras att MLC-enheter har kortare datalagringsperioder än SLC-enheter.
Steg 4
Den hierarkiska strukturen för flashminne förklaras av följande fakta. Processer som att skriva och radera, liksom att läsa information från en flash-enhet, sker i stora block av olika storlekar. Till exempel är ett raderingsblock större än ett skrivblock, vilket i sin tur är mindre än ett läsblock. Detta är en särskiljande egenskap hos flashminnet från det klassiska. Som ett resultat har alla dess mikrokretsar en uttalad hierarkisk struktur. Minnet är således uppdelat i block och de i sektorer och sidor.
Steg 5
Radering, läsning och skrivning är annorlunda. Till exempel kan raderingshastigheten variera från ett till hundratals millisekunder. Det beror på storleken på informationen som raderas. Inspelningshastigheten är tiotals eller hundratals mikrosekunder. Läshastigheten är vanligtvis tiotals nanosekunder.
Steg 6
Funktioner i användningen av flashminne dikteras av dess funktioner. Det är tillåtet att producera och sälja mikrokretsar med valfritt antal defekta minneceller. För att göra denna procentsats lägre levereras varje sida med små ytterligare block.
Steg 7
Flashminnets svaga punkt är att antalet omskrivningscykler på en sida är begränsat. Situationen blir ännu värre på grund av att filsystem ofta skriver till samma minnesplats.
